DDRx应用指南
简介
第一章：DDRx概览
1.1 内存的类型
1.2 SDRAM
1.3 DDR SDRAM
1.4 DDR2 SDRAM
1.5 DDR3 SDRAM
1.6 DDR4 SDRAM
1.7 内存的发展动态
第二章：理解DDRx
2.1 基本原理
2.1.1 Cell单元
2.1.2 BANK和RANK
2.1.3 Page页
2.1.4 地址和数据位宽
2.1.5 引脚解析
2.1.6 整体架构
2.2 参数详解
2.2.1 CLK时钟频率
2.2.2 tRCD
2.2.3 tRP
2.2.4 CL,AL和CWL
2.2.5 tCK
2.2.6 tDQSS
2.2.7 tDQSQ
2.2.8 tDQSCK
2.2.9 BL和BC
2.2.10 ODT
2.3 DDRx读操作
2.4 DDRx写操作
2.5 Write Leveling
2.6 DDRx初始化过程
第三章：原理图设计
3.1 电源设计要求
3.2 端接策略
3.3 测试点
3.4 Pin Swap
第四章：Layout设计
4.1 拓扑结构
4.1.1 点对点拓扑
4.1.2 T型拓扑
4.1.3 菊花链拓扑
4.1.4 Fly-by拓扑
4.2 器件摆放
4.3 约束规则
4.3.1 线宽线距
4.3.2 差分规则
4.3.3 等长规则
4.4 制版工艺
4.4.1 层叠结构
4.4.2 FR4板材
4.4.3 过孔处理工艺
4.4.4 铜铂厚度
4.4.5 阻抗控制
4.5 检验标准
4.5.1 国标GB4588
4.5.2 IPC-II标准
4.5.3 IPC-III标准
4.5.4 MIL美军标
4.5.5 GJB国军标
4.6 其它
第五章：仿真分析
5.1 仿真工具介绍
5.1.1 Cadence Sigrity
5.1.2 HyperLynx
5.1.3 AnsysEM
5.2 仿真模型IBIS
5.2.1 IBIS结构
5.2.2 Header信息
5.2.3 器件和引脚信息
5.2.4 模型信息
5.2.5 IV信息
5.2.6 VT信息
5.3 电源完整性分析
5.3.1 直流压降分析
5.3.2 去耦电容分析
5.3.3 平面谐振分析
5.4 信号完整性分析
5.4.1 单端阻抗分析
5.4.2 差分阻抗分析
5.4.3 端接分析
5.4.4 Stub分析
5.4.5 Via分析
5.5 EMC分析
第六章：硬件测试
6.1 DDRx标准介绍
6.2 测试项目
6.2.1 电源测试
6.2.2 CLK测试
6.2.3 CMD,ADDR测试
6.2.4 写操作DM，DQS，DQ测试
6.2.5 读操作DQS，DQ测试
第七章：软件测试
7.1 参数校准
7.1.1 Write Leveling校准
7.1.2 Read DQS Gating校准
7.1.3 Write延迟校准
7.1.4 Read延迟校准
7.2 压力测试
7.3 常用工具
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4.3.2 差分规则
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